Memoria Flash Microchip, 4Mbit, PLCC, 32 Pin, Parallelo
- Codice RS:
- 145-9101
- Codice costruttore:
- SST39LF040-55-4C-NHE
- Costruttore:
- Microchip
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- Codice RS:
- 145-9101
- Codice costruttore:
- SST39LF040-55-4C-NHE
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Dimensioni memoria | 4Mbit | |
| Interfacce | Parallelo | |
| Tipo di package | PLCC | |
| Numero pin | 32 | |
| Organizzazione | 512K x 8 bit | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di cella | Split gate | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 3 V | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 3,6 V | |
| Organizzazione a blocchi | Simmetrico | |
| Lunghezza | 13.97mm | |
| Altezza | 2.79mm | |
| Larghezza | 11.43mm | |
| Dimensioni | 11.43 x 13.97 x 2.79mm | |
| Numero di parole | 512K | |
| Minima temperatura operativa | 0 °C | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 55ns | |
| Serie | SST39 | |
| Massima temperatura operativa | +70 °C | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Dimensioni memoria 4Mbit | ||
Interfacce Parallelo | ||
Tipo di package PLCC | ||
Numero pin 32 | ||
Organizzazione 512K x 8 bit | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di cella Split gate | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 3 V | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 3,6 V | ||
Organizzazione a blocchi Simmetrico | ||
Lunghezza 13.97mm | ||
Altezza 2.79mm | ||
Larghezza 11.43mm | ||
Dimensioni 11.43 x 13.97 x 2.79mm | ||
Numero di parole 512K | ||
Minima temperatura operativa 0 °C | ||
Tempo di accesso casuale massimo 55ns | ||
Serie SST39 | ||
Massima temperatura operativa +70 °C | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
- Paese di origine:
- PH
Memoria SuperFlash® parallela SST39VF010/020/040
La famiglia di dispositivi SST39LF010A/020A/040 di Microchip sono IC di memoria paralleli polivalenti SuperFlash®.
Caratteristiche
Operazioni di scrittura e lettura a 3,0 -3,6 V
Durata - 100.000 cicli (tipica)
Basso consumo energetico - corrente quando attivo 5 mA, corrente in standby 1 μA (valori tipici a 14 MHz)
Capacità di cancellazione di settore - settori uniformi a 4 Kbyte
Tempo di accesso in lettura - 55 ns
Tempo di cancellazione del settore 18 MS
Tempo di cancellazione del chip: 70 ms (tipico)
Tempo di programma byte - 14 μs (tipico)
Tempo di riscrittura chip - SST39LF010 2 secondi, SST39SF020 4 secondi, SST39SF040 8 secondi (valori tipici)
Indirizzi e dati con blocco
Temporizzazione di scrittura automatica - generazione interna VPP
Rilevamento fine della scrittura - bit a levetta - polling di dati#
Compatibilità I/O CMOS
Standard JEDEC - piedini di uscita e set di comandi FLASH EEPROM
Durata - 100.000 cicli (tipica)
Basso consumo energetico - corrente quando attivo 5 mA, corrente in standby 1 μA (valori tipici a 14 MHz)
Capacità di cancellazione di settore - settori uniformi a 4 Kbyte
Tempo di accesso in lettura - 55 ns
Tempo di cancellazione del settore 18 MS
Tempo di cancellazione del chip: 70 ms (tipico)
Tempo di programma byte - 14 μs (tipico)
Tempo di riscrittura chip - SST39LF010 2 secondi, SST39SF020 4 secondi, SST39SF040 8 secondi (valori tipici)
Indirizzi e dati con blocco
Temporizzazione di scrittura automatica - generazione interna VPP
Rilevamento fine della scrittura - bit a levetta - polling di dati#
Compatibilità I/O CMOS
Standard JEDEC - piedini di uscita e set di comandi FLASH EEPROM
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