Memoria Flash Winbond NAND SLC, 1 GB, VFBGA, 63 Pin, Parallelo W29N01HVBINF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-2794
Codice costruttore:
W29N01HVBINF
Costruttore:
Winbond
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Marchio

Winbond

Tipo prodotto

Memoria Flash

Dimensione memoria

1GB

Tipo di interfaccia

Parallelo

Tipo di package

VFBGA

Numero pin

63

Organizzazione

128M x 8 bit

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di cella

NAND SLC

Tensione massima di alimentazione

3.6V

Tensione minima di alimentazione

2.7V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Larghezza

11.1mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.6mm

Lunghezza

11.1mm

Corrente di alimentazione

35mA

Tempo massimo di accesso casuale

25μs

Numero bit per parola

8

Standard automobilistico

No

Serie

W29N01HV

Numero parole

128M

Densità : 1Gbit (soluzione a chip singolo)

Vcc : da 2,7 V a 3,6 V.

Larghezza bus: x8

Temperatura d'esercizio

Industriale: da -40 a 85 °C

Tecnologia SLC (Single Level Cell).

Organizzazione

Densità: 1 G-bit/128 M-byte

Dimensioni pagina

2,112 byte (2048 + 64 byte)

Dimensione del blocco

64 pagine (128K + 4K byte)

Massime Prestazioni

Prestazioni di lettura (max.)

Lettura casuale: 25US

Ciclo di lettura sequenziale: 25ns

Prestazioni cancellazione scrittura

Tempo di programmazione pagina: 250 us

Tempo di cancellazione di blocco: 2 ms

Durata 100.000 Cicli Di Cancellazione/Programma(1)

conservazione dei dati per 10 anni

Set di comandi

Set di comandi NAND standard

Supporto di comandi aggiuntivi

Copia Indietro

Basso consumo energetico

Leggi: 25mA(tip.3V),

Programma/Cancella: 25mA(tip.3V),

CMOS standby: 10uA(tip.)

Imballaggio Efficiente In Termini Di Spazio

Standard a 48 pin TSOP1

VFBGA a 48 sfere

VFBGA a 63 sfere

Memoria flash NAND 1GB SLC con dimensioni pagina 2KB+64B uniformi.

Larghezza bus: x8

Lettura casuale: 25US

Tempo programma pagina: 250us(tip.)

Tempo di cancellazione del blocco: 2ms(tip.)

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