Memoria Flash Microchip Split gate, 8 MB, SOIJ, 8 Pin, SPI SST25VF080B-50-4C-S2AF-T
- Codice RS:
- 264-8833
- Codice costruttore:
- SST25VF080B-50-4C-S2AF-T
- Costruttore:
- Microchip
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 264-8833
- Codice costruttore:
- SST25VF080B-50-4C-S2AF-T
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo prodotto | Memoria Flash | |
| Dimensione memoria | 8MB | |
| Tipo di interfaccia | SPI | |
| Tipo di package | SOIJ | |
| Numero pin | 8 | |
| Organizzazione | 1M x 8 | |
| Frequenza di clock massima | 50MHz | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di cella | Split gate | |
| Tensione minima di alimentazione | 2.3V | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Tipo di temporizzazione | Sincrono | |
| Minima temperatura operativa | 0°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 70°C | |
| Larghezza | 5 mm | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC, RoHS | |
| Lunghezza | 6mm | |
| Corrente di alimentazione | 15mA | |
| Standard automobilistico | No | |
| Serie | SST25VF | |
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|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo prodotto Memoria Flash | ||
Dimensione memoria 8MB | ||
Tipo di interfaccia SPI | ||
Tipo di package SOIJ | ||
Numero pin 8 | ||
Organizzazione 1M x 8 | ||
Frequenza di clock massima 50MHz | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di cella Split gate | ||
Tensione minima di alimentazione 2.3V | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
Tipo di temporizzazione Sincrono | ||
Minima temperatura operativa 0°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 70°C | ||
Larghezza 5 mm | ||
Standard/Approvazioni JEDEC, RoHS | ||
Lunghezza 6mm | ||
Corrente di alimentazione 15mA | ||
Standard automobilistico No | ||
Serie SST25VF | ||
La memoria flash seriale Microchip è potenziata con una frequenza d'esercizio migliorata per un minor consumo energetico. La memoria flash seriale SPI SST25VF080B è realizzata con la tecnologia proprietaria ad alte prestazioni CMOS Super Flash di SST. Il design della cella a gate diviso e l'iniettore a tunnel di ossido spesso garantiscono una migliore affidabilità e fabbricabilità rispetto agli approcci alternativi. Questo dispositivo migliora notevolmente le prestazioni e l'affidabilità, riducendo al contempo il consumo energetico.
Operazioni di lettura e scrittura a tensione singola - 2,7-3,6 V
Supporta clock SPI da 50 MHz
Durata: 100000 cicli (tipico)
Conservazione dei dati superiore a 100 anni
Corrente di programmazione e cancellazione: 30 mA (max)
Corrente di lettura attiva: 10 mA (tipica)
Corrente in standby: 5 μA (tipica)
Blocchi di sovrapposizione uniformi da 32 Kbyte e 64 Kbyte
Tempo di cancellazione del chip: 35 ms (tipico)
Tutti i dispositivi sono conformi a RoHS
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