Memoria Flash Infineon NOR, 128 MB, SOIC, 8 Pin, SPI
- Codice RS:
- 273-7481
- Codice costruttore:
- S25FL127SABMFI100
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-7481
- Codice costruttore:
- S25FL127SABMFI100
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Memoria Flash | |
| Dimensione memoria | 128MB | |
| Tipo di interfaccia | SPI | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 8 | |
| Frequenza di clock massima | 108MHz | |
| Tipo di cella | NOR | |
| Tensione minima di alimentazione | 2.7V | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 105°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | Certificazione AEC Q100 Grado 2 e 3 | |
| Serie | S25FL127S | |
| Corrente di alimentazione | 50mA | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Memoria Flash | ||
Dimensione memoria 128MB | ||
Tipo di interfaccia SPI | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 8 | ||
Frequenza di clock massima 108MHz | ||
Tipo di cella NOR | ||
Tensione minima di alimentazione 2.7V | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 105°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico Certificazione AEC Q100 Grado 2 e 3 | ||
Serie S25FL127S | ||
Corrente di alimentazione 50mA | ||
Le memorie flash di Infineon offrono densità elevate e la flessibilità e le prestazioni veloci richieste da una serie di applicazioni mobili o embedded. È ideale per l'ombreggiatura del codice, XIP e l'archiviazione dei dati. L'esecuzione del codice direttamente dalla memoria flash è spesso chiamata esecuzione diretta (Execute in Place). Utilizzando i dispositivi FL-S alle velocità di clock più elevate supportate, con il comando QIO, la velocità di trasferimento delle istruzioni lette può eguagliare o superare le tradizionali memorie flash NOR asincrone con interfaccia parallela, riducendo al contempo il numero di segnali.
Nucleo CMOS 3,0 V
Conservazione dei dati per un minimo di 20 anni
Minimo di 100000 cicli di cancellazione di programmi
Opzioni di controllo hardware e software
Modalità di polarità e fase di clock SPI 0 e 3
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