FRAM Infineon, 512 kB, SOIC, 8 Pin, 64k x 8 Bit FM24V05-G, AEC-Q100

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
124-2984
Codice costruttore:
FM24V05-G
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensione memoria

512kB

Tipo prodotto

FRAM

Organizzazione

64k x 8 Bit

Larghezza bus dati

8bit

Tempo massimo di accesso casuale

450ns

Tipo montaggio

Superficie

Frequenza di clock massima

3.4MHz

Tipo di package

SOIC

Numero pin

8

Larghezza

3.98 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

4.97mm

Altezza

1.38mm

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Minima temperatura operativa

-40°C

Numero bit per parola

8

Tensione minima di alimentazione

2V

Numero parole

64K

Tensione massima di alimentazione

3.6V

Standard automobilistico

AEC-Q100

FRAM, Cypress Semiconductor


La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.

Memoria RAM non volatile ferroelettrica

Velocità di scrittura rapida

Durata elevata

Basso consumo energetico

FRAM (RAM ferroelettrica)


La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.

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