FRAM Infineon, 512 kB, SOIC, 8 Pin, 64k x 8 Bit FM24V05-G, AEC-Q100
- Codice RS:
- 124-2984
- Codice costruttore:
- FM24V05-G
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|
| 1 - 9 | 13,30 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 124-2984
- Codice costruttore:
- FM24V05-G
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | FRAM | |
| Dimensione memoria | 512kB | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 450ns | |
| Frequenza di clock massima | 3.4MHz | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 8 | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.38mm | |
| Lunghezza | 4.97mm | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Numero parole | 64K | |
| Tensione minima di alimentazione | 2V | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto FRAM | ||
Dimensione memoria 512kB | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Tempo massimo di accesso casuale 450ns | ||
Frequenza di clock massima 3.4MHz | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 8 | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.38mm | ||
Lunghezza 4.97mm | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Numero parole 64K | ||
Tensione minima di alimentazione 2V | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
Numero bit per parola 8 | ||
FRAM, Cypress Semiconductor
La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.
Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
FRAM (RAM ferroelettrica)
La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.
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