Memoria FRAM Infineon, SPI, 64kbit, SOIC, 8K x 8 bit, AEC-Q100
- Codice RS:
- 125-4222P
- Codice costruttore:
- FM25CL64B-G
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità |
|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 125-4222P
- Codice costruttore:
- FM25CL64B-G
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensioni memoria | 64kbit | |
| Organizzazione | 8K x 8 bit | |
| Interfacce | SPI | |
| Larghezza del bus dati | 8bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 20ns | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 8 | |
| Dimensioni | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | |
| Lunghezza | 4.97mm | |
| Larghezza | 3.98mm | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 3,65 V | |
| Altezza | 1.48mm | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Numero di parole | 8K | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 2,7 V | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Standard per uso automobilistico | AEC-Q100 | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensioni memoria 64kbit | ||
Organizzazione 8K x 8 bit | ||
Interfacce SPI | ||
Larghezza del bus dati 8bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 20ns | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 8 | ||
Dimensioni 4.97 x 3.98 x 1.48mm | ||
Lunghezza 4.97mm | ||
Larghezza 3.98mm | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 3,65 V | ||
Altezza 1.48mm | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Numero di parole 8K | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 2,7 V | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Standard per uso automobilistico AEC-Q100 | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
FRAM, Cypress Semiconductor
La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.
Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
FRAM (RAM ferroelettrica)
La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.
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