FRAM Infineon, SPI, 64 kB, DFN, 8 Pin, 8K x 8 bit
- Codice RS:
- 188-5412
- Codice costruttore:
- FM25CL64B-DG
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 81 - 81 | 2,628 € | 212,87 € |
| 162 - 486 | 2,36 € | 191,16 € |
| 567 - 972 | 2,255 € | 182,66 € |
| 1053 + | 2,137 € | 173,10 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 188-5412
- Codice costruttore:
- FM25CL64B-DG
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensione memoria | 64kB | |
| Tipo prodotto | FRAM | |
| Organizzazione | 8K x 8 bit | |
| Tipo di interfaccia | SPI | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 20ns | |
| Frequenza di clock massima | 20MHz | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | DFN | |
| Numero pin | 8 | |
| Altezza | 0.75mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 4.5mm | |
| Larghezza | 4mm | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.65V | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Tensione minima di alimentazione | 2.7V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Numero parole | 8K | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensione memoria 64kB | ||
Tipo prodotto FRAM | ||
Organizzazione 8K x 8 bit | ||
Tipo di interfaccia SPI | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Tempo massimo di accesso casuale 20ns | ||
Frequenza di clock massima 20MHz | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package DFN | ||
Numero pin 8 | ||
Altezza 0.75mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 4.5mm | ||
Larghezza 4mm | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Tensione massima di alimentazione 3.65V | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Tensione minima di alimentazione 2.7V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Numero parole 8K | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.
Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
FRAM (RAM ferroelettrica)
La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.
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