FRAM Infineon, SPI, 64 kB, DFN, 8 Pin, 8K x 8 bit

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*prezzo indicativo

Codice RS:
188-5412
Codice costruttore:
FM25CL64B-DG
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensione memoria

64kB

Tipo prodotto

FRAM

Organizzazione

8K x 8 bit

Tipo di interfaccia

SPI

Larghezza bus dati

8bit

Tempo massimo di accesso casuale

20ns

Tipo montaggio

Superficie

Frequenza di clock massima

20MHz

Tipo di package

DFN

Numero pin

8

Altezza

0.75mm

Lunghezza

4.5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4 mm

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Minima temperatura operativa

-40°C

Numero bit per parola

8

Standard automobilistico

No

Numero parole

8K

Tensione massima di alimentazione

3.65V

Tensione minima di alimentazione

2.7V

Paese di origine:
US

FRAM, Cypress Semiconductor


La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.

Memoria RAM non volatile ferroelettrica

Velocità di scrittura rapida

Durata elevata

Basso consumo energetico

FRAM (RAM ferroelettrica)


La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.

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