FRAM Infineon, SPI, 256 kB, DFN, 8 Pin, 32K x 8 Bit, AEC-Q100

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Codice RS:
188-5418
Codice costruttore:
FM25V02A-DG
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

FRAM

Dimensione memoria

256kB

Organizzazione

32K x 8 Bit

Tipo di interfaccia

SPI

Larghezza bus dati

8bit

Tempo massimo di accesso casuale

16ns

Tipo montaggio

Superficie

Frequenza di clock massima

40MHz

Tipo di package

DFN

Numero pin

8

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.75mm

Larghezza

4 mm

Lunghezza

4.5mm

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Tensione massima di alimentazione

3.6V

Standard automobilistico

AEC-Q100

Numero parole

32k

Tensione minima di alimentazione

2V

Numero bit per parola

8

Minima temperatura operativa

-40°C

FRAM, Cypress Semiconductor


La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.

Memoria RAM non volatile ferroelettrica

Velocità di scrittura rapida

Durata elevata

Basso consumo energetico

FRAM (RAM ferroelettrica)


La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.

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