Seriale (SPI) F-RAM Infineon, Seriale SPI, 256 kB, SOIC, 8 Pin, 32k x 8 bit FM25V02A-G
- Codice RS:
- 273-7388
- Codice costruttore:
- FM25V02A-G
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 97 - 97 | 4,716 € | 457,45 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-7388
- Codice costruttore:
- FM25V02A-G
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Seriale (SPI) F-RAM | |
| Dimensione memoria | 256kB | |
| Organizzazione | 32k x 8 bit | |
| Tipo di interfaccia | Seriale SPI | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Frequenza di clock massima | 40MHz | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 8 | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Standard automobilistico | No | |
| Numero parole | 32k | |
| Tensione minima di alimentazione | 2V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Seriale (SPI) F-RAM | ||
Dimensione memoria 256kB | ||
Organizzazione 32k x 8 bit | ||
Tipo di interfaccia Seriale SPI | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Frequenza di clock massima 40MHz | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 8 | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Standard automobilistico No | ||
Numero parole 32k | ||
Tensione minima di alimentazione 2V | ||
La FRAM Infineon è una memoria non volatile da 256 Kbit che impiega un processo ferroelettrico avanzato. Una memoria ad accesso casuale ferroelettrica o FRAM non è volatile ed esegue letture e scritture simili a quelle di una RAM. Offre una conservazione affidabile dei dati per 151 anni, eliminando al contempo le complessità, l'overhead e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati da flash seriali, EEPROM e altre memorie non volatili. A differenza delle flash seriali e delle EEPROM, esegue operazioni di scrittura alla velocità del bus. Non si verificano ritardi di scrittura. I dati vengono scritti nell'array di memoria immediatamente dopo che ogni byte è stato trasferito con successo al dispositivo. Il ciclo di bus successivo può iniziare senza la necessità di effettuare il polling dei dati. Inoltre, il prodotto offre una notevole resistenza alla scrittura rispetto ad altre memorie non volatili.
Conformità alla direttiva RoHS
Basso consumo energetico
Interfaccia periferica seriale molto veloce
Schema di protezione in scrittura sofisticato
Elevata resistenza 100 trilioni di letture e scritture
Processo ferroelettrico avanzato ad alta affidabilità
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