Seriale (SPI) F-RAM Infineon, Seriale SPI, 256 kB, 8 Pin FM25V02A-G, No
- Codice RS:
- 273-7389
- Codice costruttore:
- FM25V02A-G
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 273-7389
- Codice costruttore:
- FM25V02A-G
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensione memoria | 256kB | |
| Tipo prodotto | Seriale (SPI) F-RAM | |
| Tipo di interfaccia | Seriale SPI | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Frequenza di clock massima | 40MHz | |
| Numero pin | 8 | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Tensione minima di alimentazione | 2V | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Numero parole | 32k | |
| Standard automobilistico | No | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensione memoria 256kB | ||
Tipo prodotto Seriale (SPI) F-RAM | ||
Tipo di interfaccia Seriale SPI | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Frequenza di clock massima 40MHz | ||
Numero pin 8 | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Tensione minima di alimentazione 2V | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
Numero parole 32k | ||
Standard automobilistico No | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
La FRAM di Infineon è una memoria non volatile da 256 Kbit che utilizza un processo ferroelettrico avanzato. Una memoria ad accesso casuale ferroelettrica o FRAM non è volatile ed esegue letture e scritture simili a quelle di una RAM. Offre una conservazione affidabile dei dati per 151 anni, eliminando al contempo le complessità, l'overhead e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati da flash seriali, EEPROM e altre memorie non volatili. A differenza delle flash seriali e delle EEPROM, esegue operazioni di scrittura alla velocità del bus. Non si verificano ritardi di scrittura. I dati vengono scritti nell'array di memoria immediatamente dopo che ogni byte è stato trasferito con successo al dispositivo. Il ciclo di bus successivo può iniziare senza la necessità di effettuare il polling dei dati. Inoltre, il prodotto offre una notevole resistenza alla scrittura rispetto ad altre memorie non volatili.
Conforme a RoHS
Basso consumo energetico
Interfaccia periferica seriale molto veloce
Sofisticato schema di protezione dalla scrittura
Elevata resistenza di 100 trilioni di letture e scritture
Processo ferroelettrico avanzato ad alta affidabilità
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