FRAM Infineon, 64 kB, SOIC, 8 Pin, 8K x 8 bit CY15B064J-SXE, AEC-Q100
- Codice RS:
- 181-7555
- Codice costruttore:
- CY15B064J-SXE
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,60 € | 7,20 € |
| 20 - 48 | 2,90 € | 5,80 € |
| 50 - 98 | 2,85 € | 5,70 € |
| 100 - 198 | 2,84 € | 5,68 € |
| 200 + | 2,53 € | 5,06 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 181-7555
- Codice costruttore:
- CY15B064J-SXE
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensione memoria | 64kB | |
| Tipo prodotto | FRAM | |
| Organizzazione | 8K x 8 bit | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 3000ns | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Frequenza di clock massima | 1MHz | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 8 | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Lunghezza | 3.8mm | |
| Larghezza | 4.8 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Numero parole | 8K | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Tensione minima di alimentazione | 2V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensione memoria 64kB | ||
Tipo prodotto FRAM | ||
Organizzazione 8K x 8 bit | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Tempo massimo di accesso casuale 3000ns | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Frequenza di clock massima 1MHz | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 8 | ||
Altezza 1.5mm | ||
Lunghezza 3.8mm | ||
Larghezza 4.8 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Numero parole 8K | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Tensione minima di alimentazione 2V | ||
- Paese di origine:
- US
64-Kbit ferro elettrico memoria ad accesso casuale (F-RAM) logicamente organizzata come 8K x 8
Alta resistenza 10 trilioni (1013) letto/scrive
Conservazione dei dati di 121 anni (vedere la tabella Data Retention and Endurance)
Nessun ritardo™ scrive
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Interfaccia seriale veloce a 2 fili (I2C)
Fino a 1 MHz di frequenza
Sostituzione hardware diretta per EEPROM seriale (I2C)
Supporta tempi legacy per 100 kHz e 400 kHz
Basso consumo energetico
Corrente attiva a 100 kHz 120x10-1 (tip.)
Corrente di standby di 6x10 A (tip.)
Funzionamento in tensione: VDD = da 3,0 V a 3,6 V.
Temperatura automotive-E: Da -40 a +125°C
Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin
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