Memoria FRAM Cypress Semiconductor, Seriale I2C, 64kbit, SOIC, 8K x 8 bit, AEC-Q100
- Codice RS:
- 181-7555
- Codice costruttore:
- CY15B064J-SXE
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,805 € | 9,61 € |
| 20 - 48 | 3,875 € | 7,75 € |
| 50 - 98 | 3,80 € | 7,60 € |
| 100 - 198 | 3,785 € | 7,57 € |
| 200 + | 3,375 € | 6,75 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 181-7555
- Codice costruttore:
- CY15B064J-SXE
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensioni memoria | 64kbit | |
| Organizzazione | 8K x 8 bit | |
| Interfacce | Seriale I2C | |
| Larghezza del bus dati | 8bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 3000ns | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 8 | |
| Dimensioni | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | |
| Lunghezza | 4.97mm | |
| Larghezza | 3.98mm | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 3,6 V | |
| Altezza | 1.48mm | |
| Massima temperatura operativa | +125 °C | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 2 V | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Numero di parole | 8K | |
| Standard per uso automobilistico | AEC-Q100 | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensioni memoria 64kbit | ||
Organizzazione 8K x 8 bit | ||
Interfacce Seriale I2C | ||
Larghezza del bus dati 8bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 3000ns | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 8 | ||
Dimensioni 4.97 x 3.98 x 1.48mm | ||
Lunghezza 4.97mm | ||
Larghezza 3.98mm | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 3,6 V | ||
Altezza 1.48mm | ||
Massima temperatura operativa +125 °C | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 2 V | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Numero di parole 8K | ||
Standard per uso automobilistico AEC-Q100 | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
- Paese di origine:
- US
64-Kbit ferro elettrico memoria ad accesso casuale (F-RAM) logicamente organizzata come 8K x 8
Alta resistenza 10 trilioni (1013) letto/scrive
Conservazione dei dati di 121 anni (vedere la tabella Data Retention and Endurance)
Nessun ritardo™ scrive
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Interfaccia seriale veloce a 2 fili (I2C)
Fino a 1 MHz di frequenza
Sostituzione hardware diretta per EEPROM seriale (I2C)
Supporta tempi legacy per 100 kHz e 400 kHz
Basso consumo energetico
Corrente attiva a 100 kHz 120x10-1 (tip.)
Corrente di standby di 6x10 A (tip.)
Funzionamento in tensione: VDD = da 3,0 V a 3,6 V.
Temperatura automotive-E: Da -40 a +125°C
Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin
Alta resistenza 10 trilioni (1013) letto/scrive
Conservazione dei dati di 121 anni (vedere la tabella Data Retention and Endurance)
Nessun ritardo™ scrive
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Interfaccia seriale veloce a 2 fili (I2C)
Fino a 1 MHz di frequenza
Sostituzione hardware diretta per EEPROM seriale (I2C)
Supporta tempi legacy per 100 kHz e 400 kHz
Basso consumo energetico
Corrente attiva a 100 kHz 120x10-1 (tip.)
Corrente di standby di 6x10 A (tip.)
Funzionamento in tensione: VDD = da 3,0 V a 3,6 V.
Temperatura automotive-E: Da -40 a +125°C
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