Memoria FRAM Infineon, Seriale SPI, 4kbit, SOIC, 512M x 8 bit, AEC-Q100

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
181-8325
Codice costruttore:
FM25L04B-GTR
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensioni memoria

4kbit

Organizzazione

512M x 8 bit

Interfacce

Seriale SPI

Larghezza del bus dati

8bit

Tempo di accesso casuale massimo

20ns

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

SOIC

Numero pin

8

Dimensioni

4.97 x 3.98 x 1.47mm

Lunghezza

4.97mm

Larghezza

3.98mm

Tensione di alimentazione operativa massima

3,6 V

Altezza

1.47mm

Massima temperatura operativa

+85 °C

Standard per uso automobilistico

AEC-Q100

Numero di parole

512M

Tensione di alimentazione operativa minima

2,7 V

Minima temperatura operativa

-40 °C

Numero di bit per parola

8bit

Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 4 Kbit (F-RAM) organizzata logicamente come 512 x 8
Lettura/scrittura di 100 trilioni (1014) ad alta resistenza
conservazione dei dati per 151 anni
NoDelay™ scrive
processo ferroelettrico ad alta affidabilità advanced
Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
Frequenza fino a 20 MHz
Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM
Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
Sofisticato schema di protezione da scrittura
Protezione hardware tramite il pin Write Protect (WP)
Protezione software mediante istruzione Write Disable
Protezione blocco software per 1/4, 1/2, o intero array
Basso consumo energetico
200 A di corrente attiva a 1 MHz
Corrente di standby 3 A (tip.)
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,7 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da –40 C a +85 C
Involucri
Contenitore SOIC (Small Outline Integrated Circuit) a 8 pin
Contenitore sottile a 8 pin con doppio cavo piatto senza fili (DFN)

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