Memoria FRAM Cypress Semiconductor, SPI, 16kbit, SOIC, 2K x 8 bit, AEC-Q100

Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 16 Kbit (F-RAM) organizzata logicamente come 2K x 8
Lettura/scrittura di 100 trilioni (1014) ad alta resistenza
Conservazione dei dati per 151 anni (Vedere Conservazione dei dati e durata a pagina 12)
NoDelay™ scrive
processo ferroelettrico ad alta affidabilità advanced
Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
Frequenza fino a 20 MHz
Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM
Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
Sofisticato schema di protezione da scrittura
Protezione hardware tramite il pin Write Protect (WP)
Protezione software mediante istruzione Write Disable
Protezione blocco software per 1/4, 1/2, o intero array
Basso consumo energetico
200 μA di corrente attiva a 1 MHz
Corrente di standby 3 μA (tip.)
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,7 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da –40 °C a +85 °C.
Involucri
Contenitore SOIC (Small Outline Integrated Circuit) a 8 pin
Contenitore sottile a 8 pin con doppio cavo piatto senza fili (DFN)