FRAM Infineon, 16 kB, SOIC, 8 Pin, 2K x 8 bit, AEC-Q100

Questa FRAM è un dispositivo di memoria ferroelettrica non volatile progettato per l'archiviazione dati a bassa potenza in ambienti integrati e automobilistici. Funziona in un intervallo di alimentazione ristretto e fornisce un accesso a byte per i sistemi che richiedono scritture frequenti e una lunga conservazione dei dati senza batteria di backup. Il componente viene fornito in un pacchetto compatto a montaggio superficiale adatto per assemblaggi con spazio limitato.

• Organizzazione parallela a 8 bit che consente trasferimenti di byte semplici
• Memorizzazione totale di 16 kB che supporta frequenti cicli di scrittura
• Clock massimo di 1 MHz per un accesso tempestivo ai dati
• Intervallo di alimentazione di 2,7-3,6 V che consente un funzionamento stabile a bassa tensione
• La qualifica AEC-Q100 garantisce l'idoneità per l'uso nel settore automobilistico
• Intervallo di funzionamento da -40 a 85 °C per ambienti a diverse temperature

• Adatto per la registrazione degli eventi a bordo del veicolo e la memorizzazione dei parametri
• Ideale per il buffering e la registrazione dei dati dei sensori industriali
• Utilizzato con microcontrollori che richiedono una memoria scratch non volatile
• Può essere utilizzato per la calibrazione e il mantenimento della configurazione nelle unità di controllo
• Utilizzato per moduli di registrazione dati a bassa potenza in apparecchiature portatili

È fornito in un contenitore SOIC a 8 pin progettato per la saldatura a montaggio superficiale.

La memoria è organizzata in 2k parole di 8 bit ciascuna, fornendo indirizzamento 2kx8 bit.

L'ingombro del pacchetto misura 3,98 mm di larghezza e 4,97 mm di lunghezza con un'altezza dei componenti di 1,38 mm.

I progetti devono supportare un'alimentazione minima di 2,7 V, un'alimentazione massima di 3,6 V e una frequenza di clock massima di 1 MHz.