Memoria FRAM Infineon, Serial-2 Wire, Serial-I2C, 16kbit, DFN, 2K x 8 bit, AEC-Q100

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
125-4211
Codice costruttore:
FM24CL16B-DG
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensioni memoria

16kbit

Organizzazione

2K x 8 bit

Interfacce

Serial-2 Wire, Serial-I2C

Larghezza del bus dati

8bit

Tempo di accesso casuale massimo

3000ns

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

DFN

Numero pin

8

Dimensioni

4 x 4.5 x 0.7mm

Lunghezza

4.5mm

Larghezza

4mm

Tensione di alimentazione operativa massima

3,65 V

Altezza

0.7mm

Massima temperatura operativa

+85 °C

Numero di bit per parola

8bit

Numero di parole

2K

Minima temperatura operativa

-40 °C

Tensione di alimentazione operativa minima

2,7 V

Standard per uso automobilistico

AEC-Q100

FRAM, Cypress Semiconductor


La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.

Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico

Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 16 Kbit (F-RAM) organizzata logicamente come 2K x 8
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni
Scrive NODELAY™
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Interfaccia seriale veloce a 2 fili (I2C)
Fino a 1 MHz di frequenza
Sostituzione hardware diretta per EEPROM seriale (I2C)
Supporta tempi legacy per 100 kHz e 400 kHz
Basso consumo energetico
Corrente attiva 100 μA a 100 kHz
Corrente di standby 3 μA (tip.)
Funzionamento in tensione: VDD = da 2,7 V a 3,65 V.
Temperatura industriale: Da -40 °C a +85 °C.
Involucri
Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin
Contenitore doppio piatto a 8 pin senza fili (DFN)


FRAM (RAM ferroelettrica)


La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.

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