FRAM Infineon, I2C a 2 fili, 16 kB, DFN, 8 Pin, 2K x 8 bit FM24CL16B-DG, AEC-Q100

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
125-4211
Codice costruttore:
FM24CL16B-DG
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensione memoria

16kB

Tipo prodotto

FRAM

Tipo di interfaccia

I2C a 2 fili

Larghezza bus dati

8bit

Tempo massimo di accesso casuale

3000ns

Tipo montaggio

Superficie

Frequenza di clock massima

1MHz

Tipo di package

DFN

Numero pin

8

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.75mm

Lunghezza

4.5mm

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Numero bit per parola

8

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione minima di alimentazione

2.7V

Numero parole

2k

Standard automobilistico

AEC-Q100

Tensione massima di alimentazione

3.65V

FRAM, Cypress Semiconductor


La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.

Memoria RAM non volatile ferroelettrica

Velocità di scrittura rapida

Durata elevata

Basso consumo energetico

FRAM (RAM ferroelettrica)


La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.

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