FRAM Infineon, Seriale I2C, 16 kB, SOIC-8, 8 Pin, 2k x 8 bit
- Codice RS:
- 273-7377
- Codice costruttore:
- FM24C16B-G
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 273-7377
- Codice costruttore:
- FM24C16B-G
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | FRAM | |
| Dimensione memoria | 16kB | |
| Organizzazione | 2k x 8 bit | |
| Tipo di interfaccia | Seriale I2C | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Frequenza di clock massima | 1MHz | |
| Tipo di package | SOIC-8 | |
| Numero pin | 8 | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Tensione massima di alimentazione | 5.5V | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Tensione minima di alimentazione | 4.5V | |
| Numero parole | 2k | |
| Standard automobilistico | No | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto FRAM | ||
Dimensione memoria 16kB | ||
Organizzazione 2k x 8 bit | ||
Tipo di interfaccia Seriale I2C | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Frequenza di clock massima 1MHz | ||
Tipo di package SOIC-8 | ||
Numero pin 8 | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Tensione massima di alimentazione 5.5V | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Tensione minima di alimentazione 4.5V | ||
Numero parole 2k | ||
Standard automobilistico No | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
La FRAM di Infineon è una memoria non volatile da 16 Kbit che utilizza un processo ferroelettrico avanzato. Una memoria ad accesso casuale ferroelettrica o FRAM non è volatile ed esegue letture e scritture simili a quelle di una RAM. Offre una conservazione affidabile dei dati per 151 anni, eliminando al contempo le complessità, l'overhead e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati da EEPROM e altre memorie non volatili. A differenza della EEPROM, esegue operazioni di scrittura alla velocità del bus. Non si verificano ritardi di scrittura. I dati vengono scritti nell'array di memoria immediatamente dopo che ogni byte è stato trasferito con successo al dispositivo. Il ciclo di bus successivo può iniziare senza la necessità di effettuare il polling dei dati. Inoltre, il prodotto offre una notevole resistenza alla scrittura rispetto ad altre memorie non volatili.
Conforme a RoHS
Basso consumo energetico
Interfaccia seriale rapida a 2 fili
Conformità AEC Q100 grado 1
Elevata resistenza 10 trilioni di letture e scrittureProcesso ferroelettrico avanzato ad alta affidabilità
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