Seriale (SPI) FRAM automobilistico Infineon, SPI, 16 kB, SOIC-8, 8 Pin, 2K x 8 bit FM25C160B-G, Certificazione AEC Q100
- Codice RS:
- 273-7384
- Codice costruttore:
- FM25C160B-G
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 97 - 97 | 1,644 € | 159,47 € |
| 194 + | 1,603 € | 155,49 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-7384
- Codice costruttore:
- FM25C160B-G
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensione memoria | 16kB | |
| Tipo prodotto | Seriale (SPI) FRAM automobilistico | |
| Organizzazione | 2K x 8 bit | |
| Tipo di interfaccia | SPI | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Frequenza di clock massima | 20MHz | |
| Tipo di package | SOIC-8 | |
| Numero pin | 8 | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Temperatura massima di funzionamento | +85°C | |
| Numero parole | 2k | |
| Tensione massima di alimentazione | 5.5V | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Standard automobilistico | Certificazione AEC Q100 Grado 1 | |
| Tensione minima di alimentazione | 4.5V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensione memoria 16kB | ||
Tipo prodotto Seriale (SPI) FRAM automobilistico | ||
Organizzazione 2K x 8 bit | ||
Tipo di interfaccia SPI | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Frequenza di clock massima 20MHz | ||
Tipo di package SOIC-8 | ||
Numero pin 8 | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Temperatura massima di funzionamento +85°C | ||
Numero parole 2k | ||
Tensione massima di alimentazione 5.5V | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Standard automobilistico Certificazione AEC Q100 Grado 1 | ||
Tensione minima di alimentazione 4.5V | ||
- Paese di origine:
- TH
La FRAM di Infineon è una memoria non volatile da 16 Kbit che utilizza un processo ferroelettrico avanzato. Una memoria ad accesso casuale ferroelettrica o FRAM non è volatile ed esegue letture e scritture simili a quelle di una RAM. Offre una conservazione affidabile dei dati per 121 anni, eliminando al contempo le complessità, l'overhead e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati da EEPROM e altre memorie non volatili. A differenza della EEPROM, esegue operazioni di scrittura alla velocità del bus. Non si verificano ritardi di scrittura. I dati vengono scritti nell'array di memoria immediatamente dopo che ogni byte è stato trasferito con successo al dispositivo. Il ciclo di bus successivo può iniziare senza la necessità di effettuare il polling dei dati. Inoltre, il prodotto offre una notevole resistenza alla scrittura rispetto ad altre memorie non volatili.
Conforme a RoHS
Basso consumo energetico
Conformità AEC Q100 grado 1
Interfaccia periferica seriale molto veloce
Sofisticato schema di protezione dalla scrittura
Elevata resistenza di 10 trilioni di letture e scritture
Processo ferroelettrico avanzato ad alta affidabilità
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