Memoria FRAM Cypress Semiconductor, Seriale SPI, 16kbit, SOIC, 2K x 8 bit, AEC-Q100
- Codice RS:
- 215-5780
- Codice costruttore:
- FM25C160B-GTR
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 1,361 € | 3.402,50 € |
| 5000 + | 1,327 € | 3.317,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-5780
- Codice costruttore:
- FM25C160B-GTR
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensioni memoria | 16kbit | |
| Organizzazione | 2K x 8 bit | |
| Interfacce | Seriale SPI | |
| Larghezza del bus dati | 8bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 5ns | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 8 | |
| Dimensioni | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | |
| Lunghezza | 4.97mm | |
| Larghezza | 3.98mm | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 5,5 V | |
| Altezza | 1.48mm | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Standard per uso automobilistico | AEC-Q100 | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 4,5 V | |
| Numero di parole | 2 K | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensioni memoria 16kbit | ||
Organizzazione 2K x 8 bit | ||
Interfacce Seriale SPI | ||
Larghezza del bus dati 8bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 5ns | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 8 | ||
Dimensioni 4.97 x 3.98 x 1.48mm | ||
Lunghezza 4.97mm | ||
Larghezza 3.98mm | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 5,5 V | ||
Altezza 1.48mm | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Standard per uso automobilistico AEC-Q100 | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 4,5 V | ||
Numero di parole 2 K | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Il Cypress Semiconductor FM25C160B è una memoria non volatile a 16 Kbit che impiega un processo ferroelettrico Advanced. Una memoria ad accesso causale ferroelettrica o F-RAM è non volatile ed esegue letture e scritture simili a una RAM. Fornisce una conservazione affidabile dei dati per 151 anni, eliminando al contempo le complessità, i problemi di overhead e di affidabilità a livello di sistema causati da flash seriale, EEPROM e altre memorie non volatili.
Memoria ad accesso causale ferroelettrica (F-RAM) a 16 Kbit organizzata logicamente come 2K x 8
Lettura/scrittura a lunga durata da 100 trilioni (1014)
conservazione dei dati a 151 anni
NoDelay™ scrive
Lettura/scrittura a lunga durata da 100 trilioni (1014)
conservazione dei dati a 151 anni
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