Memoria FRAM Cypress Semiconductor, I2C, 16kbit, SOIC, 2K x 8 bit, AEC-Q100

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Codice RS:
188-5400
Codice costruttore:
FM24CL16B-G
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensioni memoria

16kbit

Organizzazione

2K x 8 bit

Interfacce

I2C

Larghezza del bus dati

8bit

Tempo di accesso casuale massimo

3000ns

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

SOIC

Numero pin

8

Dimensioni

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Lunghezza

4.97mm

Tensione di alimentazione operativa massima

3,65 V

Larghezza

3.98mm

Altezza

1.48mm

Massima temperatura operativa

+85 °C

Tensione di alimentazione operativa minima

2,7 V

Standard per uso automobilistico

AEC-Q100

Numero di bit per parola

8bit

Minima temperatura operativa

-40 °C

Numero di parole

2k

Paese di origine:
US

FRAM, Cypress Semiconductor


La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.

Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico


FRAM (RAM ferroelettrica)


La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.

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