FRAM Infineon, I2C a 2 fili, 256 kB, SOIC, 8 Pin, 32K x 8 Bit, AEC-Q100
- Codice RS:
- 188-5407
- Codice costruttore:
- FM24W256-G
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 97 - 97 | 3,864 € | 374,81 € |
| 194 - 194 | 3,474 € | 336,98 € |
| 291 - 485 | 3,454 € | 335,04 € |
| 582 - 970 | 3,234 € | 313,70 € |
| 1067 + | 3,15 € | 305,55 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 188-5407
- Codice costruttore:
- FM24W256-G
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | FRAM | |
| Dimensione memoria | 256kB | |
| Tipo di interfaccia | I2C a 2 fili | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 3000ns | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Frequenza di clock massima | 1MHz | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 8 | |
| Lunghezza | 4.97mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.38mm | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Tensione minima di alimentazione | 2.7V | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Numero parole | 32k | |
| Tensione massima di alimentazione | 5.5V | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto FRAM | ||
Dimensione memoria 256kB | ||
Tipo di interfaccia I2C a 2 fili | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Tempo massimo di accesso casuale 3000ns | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Frequenza di clock massima 1MHz | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 8 | ||
Lunghezza 4.97mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.38mm | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Tensione minima di alimentazione 2.7V | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
Numero parole 32k | ||
Tensione massima di alimentazione 5.5V | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
- Paese di origine:
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.
Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
FRAM (RAM ferroelettrica)
La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.