Memoria FRAM Infineon, I2C, 256kbit, SOIC, 32K x 8 bit

La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.

Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico

Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 256 Kbit (F-RAM organizzata logicamente come 32K x 8
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni (vedere la tabella Data Retention an Endurance)
Scrive NODELAY™
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Interfaccia seriale veloce a due fili (I2C)
Fino a 3,4 MHz di frequenza[1]
Sostituzione hardware diretta per EEPROM seriale
Supporta tempi legacy per 100 kHz e 400 kHz
ID dispositivo
ID produttore e ID prodotto
Basso consumo energetico
Corrente attiva 175-μA a 100 kHz
Corrente di standby 150-μA.
Corrente della modalità di attesa 8 μA.
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da -40 °C a +85 °C.
Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin

FRAM (RAM ferroelettrica)

La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.