- Codice RS:
- 124-2983
- Codice costruttore:
- FM24V02A-G
- Costruttore:
- Infineon
Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 24/05/2024.
Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 2
6,69 €
(IVA esclusa)
8,16 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per Pack* |
2 - 8 | 6,69 € | 13,38 € |
10 - 18 | 5,315 € | 10,63 € |
20 - 98 | 5,18 € | 10,36 € |
100 - 498 | 5,045 € | 10,09 € |
500 + | 4,92 € | 9,84 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 124-2983
- Codice costruttore:
- FM24V02A-G
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
FRAM, Cypress Semiconductor
La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.
Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 256 Kbit (F-RAM organizzata logicamente come 32K x 8
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni (vedere la tabella Data Retention an Endurance)
Scrive NODELAY™
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Interfaccia seriale veloce a due fili (I2C)
Fino a 3,4 MHz di frequenza[1]
Sostituzione hardware diretta per EEPROM seriale
Supporta tempi legacy per 100 kHz e 400 kHz
ID dispositivo
ID produttore e ID prodotto
Basso consumo energetico
Corrente attiva 175-μA a 100 kHz
Corrente di standby 150-μA.
Corrente della modalità di attesa 8 μA.
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da -40 °C a +85 °C.
Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni (vedere la tabella Data Retention an Endurance)
Scrive NODELAY™
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Interfaccia seriale veloce a due fili (I2C)
Fino a 3,4 MHz di frequenza[1]
Sostituzione hardware diretta per EEPROM seriale
Supporta tempi legacy per 100 kHz e 400 kHz
ID dispositivo
ID produttore e ID prodotto
Basso consumo energetico
Corrente attiva 175-μA a 100 kHz
Corrente di standby 150-μA.
Corrente della modalità di attesa 8 μA.
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da -40 °C a +85 °C.
Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin
FRAM (RAM ferroelettrica)
La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Dimensioni memoria | 256kbit |
Organizzazione | 32K x 8 bit |
Interfacce | Seriale I2C |
Larghezza del bus dati | 8bit |
Tempo di accesso casuale massimo | 450ns |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Tipo di package | SOIC |
Numero pin | 8 |
Dimensioni | 4.97 x 3.98 x 1.47mm |
Lunghezza | 4.97mm |
Tensione di alimentazione operativa massima | 3,6 V |
Larghezza | 3.98mm |
Altezza | 1.47mm |
Massima temperatura operativa | +85 °C |
Tensione di alimentazione operativa minima | 2 V |
Numero di bit per parola | 8bit |
Minima temperatura operativa | -40 °C |
Numero di parole | 32K |
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