Memoria FRAM Cypress Semiconductor, SPI, 64kbit, SOIC, 8K x 8 bit, AEC-Q100

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Codice RS:
188-5410
Codice costruttore:
FM25640B-G
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensioni memoria

64kbit

Organizzazione

8K x 8 bit

Interfacce

SPI

Larghezza del bus dati

8bit

Tempo di accesso casuale massimo

20ns

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

SOIC

Numero pin

8

Dimensioni

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Lunghezza

4.97mm

Larghezza

3.98mm

Tensione di alimentazione operativa massima

5,5 V

Altezza

1.48mm

Massima temperatura operativa

+85 °C

Numero di bit per parola

8bit

Minima temperatura operativa

-40 °C

Numero di parole

8k

Standard per uso automobilistico

AEC-Q100

Tensione di alimentazione operativa minima

4,5 V

Paese di origine:
US

FRAM, Cypress Semiconductor


La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.

Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico

Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 64 Kbit (F-RAM) organizzata logicamente come 8K x 8
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni
Scrive NODELAY™
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
Fino a 20 MHz di frequenza
Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM
Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
Sofisticato schema di protezione da scrittura
Protezione hardware mediante il pin Write Protect (WP)
Protezione del software mediante le istruzioni Write Disable
Protezione blocco software per 1/4, 1/2 o intero array
Basso consumo energetico
250 μA di corrente attiva a 1 MHz
Corrente di standby 4 μA (tip.)
Funzionamento in tensione: VDD = da 4,5 V a 5,5 V.
Temperatura industriale: Da -40 °C a +85 °C.
Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin


FRAM (RAM ferroelettrica)


La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.

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