Memoria FRAM Infineon, SPI, 16kbit, SOIC, 2K x 8 bit, AEC-Q100

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Codice RS:
188-5416
Codice costruttore:
FM25L16B-G
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensioni memoria

16kbit

Organizzazione

2K x 8 bit

Interfacce

SPI

Larghezza del bus dati

8bit

Tempo di accesso casuale massimo

20ns

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

SOIC

Numero pin

8

Dimensioni

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Lunghezza

4.97mm

Larghezza

3.98mm

Tensione di alimentazione operativa massima

3,6 V

Altezza

1.48mm

Massima temperatura operativa

+85 °C

Standard per uso automobilistico

AEC-Q100

Minima temperatura operativa

-40 °C

Numero di bit per parola

8bit

Numero di parole

2k

Tensione di alimentazione operativa minima

2,7 V

Paese di origine:
US

FRAM, Cypress Semiconductor


La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.

Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico

Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 16 Kbit (F-RAM) organizzata logicamente come 2K x 8
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni
Scrive NODELAY™
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
Fino a 20 MHz di frequenza
Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM
Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
Sofisticato schema di protezione da scrittura
Protezione hardware mediante il pin Write Protect (WP)
Protezione del software mediante le istruzioni Write Disable
Protezione blocco software per 1/4, 1/2 o intero array
Basso consumo energetico
Corrente attiva 200 μA a 1 MHz
Corrente di standby 3 μA (tip.)
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,7 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da -40 °C a +85 °C.
Involucri
Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin
Contenitore sottile doppio piatto a 8 pin senza cavi (DFN)


FRAM (RAM ferroelettrica)


La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.

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