Memoria FRAM Cypress Semiconductor, I2C, 4kbit, SOIC, 512 x 8, AEC-Q100

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-5779
Codice costruttore:
FM24C04B-GTR
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensioni memoria

4kbit

Organizzazione

512 x 8

Interfacce

I2C

Larghezza del bus dati

8bit

Tempo di accesso casuale massimo

10ns

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

SOIC

Numero pin

8

Dimensioni

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Lunghezza

4.97mm

Tensione di alimentazione operativa massima

5,5 V

Larghezza

3.98mm

Altezza

1.48mm

Massima temperatura operativa

+85 °C

Standard per uso automobilistico

AEC-Q100

Minima temperatura operativa

-40 °C

Tensione di alimentazione operativa minima

4,5 V

Numero di bit per parola

8bit

Numero di parole

512

Il Cypress Semiconductor FM24C04B è una memoria non volatile a 4 Kbit che impiega un processo ferroelettrico Advanced. Una memoria ad accesso causale ferroelettrica o F-RAM è non volatile ed esegue letture e scritture simili a una RAM. Fornisce una conservazione affidabile dei dati per 151 anni, eliminando al contempo le complessità, i costi generali e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati dalla EEPROM e da altre memorie non volatili.

Memoria ad accesso causale ferroelettrica (F-RAM) a 4 Kbit organizzata logicamente come 512 x 8
Lettura/scrittura a lunga durata da 100 trilioni (1014)
conservazione dei dati a 151 anni
NoDelay™ scrive
Processo ferroelettrico Advanced ad alta affidabilità

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