Memoria FRAM Cypress Semiconductor, I2C, 4kbit, SOIC, 512 x 8, AEC-Q100

Il Cypress Semiconductor FM24C04B è una memoria non volatile a 4 Kbit che impiega un processo ferroelettrico Advanced. Una memoria ad accesso causale ferroelettrica o F-RAM è non volatile ed esegue letture e scritture simili a una RAM. Fornisce una conservazione affidabile dei dati per 151 anni, eliminando al contempo le complessità, i costi generali e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati dalla EEPROM e da altre memorie non volatili.

Memoria ad accesso causale ferroelettrica (F-RAM) a 4 Kbit organizzata logicamente come 512 x 8
Lettura/scrittura a lunga durata da 100 trilioni (1014)
conservazione dei dati a 151 anni
NoDelay™ scrive
Processo ferroelettrico Advanced ad alta affidabilità