FRAM Infineon, 4 kB, SOIC, 8 Pin, 512 x 8 bit, AEC-Q100
- Codice RS:
- 215-5778
- Codice costruttore:
- FM24C04B-GTR
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 tubo da 2500 unità*
2900,00 €
(IVA esclusa)
3550,00 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,16 € | 2.900,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-5778
- Codice costruttore:
- FM24C04B-GTR
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensione memoria | 4kB | |
| Tipo prodotto | FRAM | |
| Organizzazione | 512 x 8 bit | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 10ns | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Frequenza di clock massima | 1MHz | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 8 | |
| Altezza | 1.48mm | |
| Lunghezza | 4.97mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 3.98mm | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Tensione massima di alimentazione | 5.5V | |
| Numero parole | 512 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Tensione minima di alimentazione | 4.5V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensione memoria 4kB | ||
Tipo prodotto FRAM | ||
Organizzazione 512 x 8 bit | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Tempo massimo di accesso casuale 10ns | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Frequenza di clock massima 1MHz | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 8 | ||
Altezza 1.48mm | ||
Lunghezza 4.97mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 3.98mm | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
Tensione massima di alimentazione 5.5V | ||
Numero parole 512 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Tensione minima di alimentazione 4.5V | ||
Il Cypress Semiconductor FM24C04B è una memoria non volatile a 4 Kbit che impiega un processo ferroelettrico Advanced. Una memoria ad accesso causale ferroelettrica o F-RAM è non volatile ed esegue letture e scritture simili a una RAM. Fornisce una conservazione affidabile dei dati per 151 anni, eliminando al contempo le complessità, i costi generali e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati dalla EEPROM e da altre memorie non volatili.
Memoria ad accesso causale ferroelettrica (F-RAM) a 4 Kbit organizzata logicamente come 512 x 8
Lettura/scrittura a lunga durata da 100 trilioni (1014)
conservazione dei dati a 151 anni
NoDelay™ scrive
Processo ferroelettrico Advanced ad alta affidabilità
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