Memoria FRAM, SPI quadruplo, 4MB, SOIC, 512K x 8
- Codice RS:
- 266-8512
- Codice costruttore:
- CY15V104QSN-108SXI
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 266-8512
- Codice costruttore:
- CY15V104QSN-108SXI
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensioni memoria | 4MB | |
| Organizzazione | 512K x 8 | |
| Interfacce | SPI quadruplo | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 8 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensioni memoria 4MB | ||
Organizzazione 512K x 8 | ||
Interfacce SPI quadruplo | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 8 | ||
- Paese di origine:
- US
La RAM Ultra Ferroelectric Infineon non è volatile ed esegue operazioni di lettura e scrittura simili a quelle di una RAM. I dati vengono scritti nell'array di memoria immediatamente dopo che ogni byte è stato trasferito con successo al dispositivo. Questa memoria esegue operazioni di scrittura alla velocità del bus e non si verificano ritardi di scrittura.
Interfaccia periferica seriale IO singola e multipla
Basso consumo energetico ad alta velocità
Settore speciale da 256 byte dedicato
Protezione del blocco software
Basso consumo energetico ad alta velocità
Settore speciale da 256 byte dedicato
Protezione del blocco software