Memoria FRAM Infineon, Seriale 2 fili, 4kbit, SOIC, 512 x 8 bit
- Codice RS:
- 733-2269
- Codice costruttore:
- FM24C04B-G
- Costruttore:
- Cypress Semiconductor
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- Codice RS:
- 733-2269
- Codice costruttore:
- FM24C04B-G
- Costruttore:
- Cypress Semiconductor
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Cypress Semiconductor | |
| Dimensioni memoria | 4kbit | |
| Organizzazione | 512 x 8 bit | |
| Interfacce | Seriale 2 fili | |
| Larghezza del bus dati | 8bit | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 8 | |
| Dimensioni | 4.9 x 3.9 x 1.5mm | |
| Lunghezza | 4.9mm | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 5,5 V | |
| Larghezza | 3.9mm | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Numero di parole | 512 | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 4,5 V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Cypress Semiconductor | ||
Dimensioni memoria 4kbit | ||
Organizzazione 512 x 8 bit | ||
Interfacce Seriale 2 fili | ||
Larghezza del bus dati 8bit | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 8 | ||
Dimensioni 4.9 x 3.9 x 1.5mm | ||
Lunghezza 4.9mm | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 5,5 V | ||
Larghezza 3.9mm | ||
Altezza 1.5mm | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Numero di parole 512 | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 4,5 V | ||
- Paese di origine:
- TH
FRAM, Cypress Semiconductor
La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.
Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 2 Mbit (F-RAM) organizzata logicamente come 128 K x 16
Configurabile come 256 K x 8 con UB e LB
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni
Scrive NODELAY™
Funzionamento in modalità pagina a 30 ns di ciclo
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Compatibile con SRAM
Pinout SRAM 128 K x 16 standard di settore
Tempo di accesso di 60 ns, tempo di ciclo di 90 ns
Funzioni avanzate
Protezione da scrittura a blocchi programmabile dal software
Superiore ai moduli SRAM con batteria tampone
Nessun problema relativo alla batteria
Affidabilità monolitica
Vera soluzione per montaggio superficiale, nessuna fase di rettifica
Superiore per umidità, urti e vibrazioni
Basso consumo energetico
Corrente attiva 7 mA (tip.)
Corrente di standby 120 μA (tip.)
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da -40 °C a +85 °C.
Contenitore sottile a 44 pin con profilo piccolo (TSOP) tipo II
Configurabile come 256 K x 8 con UB e LB
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni
Scrive NODELAY™
Funzionamento in modalità pagina a 30 ns di ciclo
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Compatibile con SRAM
Pinout SRAM 128 K x 16 standard di settore
Tempo di accesso di 60 ns, tempo di ciclo di 90 ns
Funzioni avanzate
Protezione da scrittura a blocchi programmabile dal software
Superiore ai moduli SRAM con batteria tampone
Nessun problema relativo alla batteria
Affidabilità monolitica
Vera soluzione per montaggio superficiale, nessuna fase di rettifica
Superiore per umidità, urti e vibrazioni
Basso consumo energetico
Corrente attiva 7 mA (tip.)
Corrente di standby 120 μA (tip.)
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da -40 °C a +85 °C.
Contenitore sottile a 44 pin con profilo piccolo (TSOP) tipo II
FRAM (RAM ferroelettrica)
La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.