Memoria FRAM Infineon, Serial-2 Wire, Serial-I2C, 4kbit, SOIC, 512 x 8 bit, AEC-Q100

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
125-4207
Codice costruttore:
FM24C04B-G
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensioni memoria

4kbit

Organizzazione

512 x 8 bit

Interfacce

Serial-2 Wire, Serial-I2C

Larghezza del bus dati

8bit

Tempo di accesso casuale massimo

3000ns

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

SOIC

Numero pin

8

Dimensioni

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Lunghezza

4.97mm

Larghezza

3.98mm

Tensione di alimentazione operativa massima

5,5 V

Altezza

1.48mm

Massima temperatura operativa

+85 °C

Tensione di alimentazione operativa minima

4,5 V

Minima temperatura operativa

-40 °C

Numero di parole

512

Standard per uso automobilistico

AEC-Q100

Numero di bit per parola

8bit

FRAM, Cypress Semiconductor


La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.

Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico

Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 2 Mbit (F-RAM) organizzata logicamente come 128 K x 16
Configurabile come 256 K x 8 con UB e LB
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni
Scrive NODELAY™
Funzionamento in modalità pagina a 30 ns di ciclo
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Compatibile con SRAM
Pinout SRAM 128 K x 16 standard di settore
Tempo di accesso di 60 ns, tempo di ciclo di 90 ns
Funzioni avanzate
Protezione da scrittura a blocchi programmabile dal software
Superiore ai moduli SRAM con batteria tampone
Nessun problema relativo alla batteria
Affidabilità monolitica
Vera soluzione per montaggio superficiale, nessuna fase di rettifica
Superiore per umidità, urti e vibrazioni
Basso consumo energetico
Corrente attiva 7 mA (tip.)
Corrente di standby 120 μA (tip.)
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da -40 °C a +85 °C.
Contenitore sottile a 44 pin con profilo piccolo (TSOP) tipo II


FRAM (RAM ferroelettrica)


La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.

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