Memoria FRAM Cypress Semiconductor, I2C, 4kbit, SOIC, 512M x 8 bit, AEC-Q100
- Codice RS:
- 181-8319P
- Codice costruttore:
- FM24CL04B-GTR
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 120 | 1,65 € |
| 125 - 245 | 1,608 € |
| 250 - 495 | 1,596 € |
| 500 + | 1,43 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 181-8319P
- Codice costruttore:
- FM24CL04B-GTR
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensioni memoria | 4kbit | |
| Organizzazione | 512M x 8 bit | |
| Interfacce | I2C | |
| Larghezza del bus dati | 8bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 550ns | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 8 | |
| Dimensioni | 4.97 x 3.98 x 1.47mm | |
| Lunghezza | 4.97mm | |
| Larghezza | 3.98mm | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 3,65 V | |
| Altezza | 1.47mm | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Standard per uso automobilistico | AEC-Q100 | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 2,7 V | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Numero di parole | 512M | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensioni memoria 4kbit | ||
Organizzazione 512M x 8 bit | ||
Interfacce I2C | ||
Larghezza del bus dati 8bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 550ns | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 8 | ||
Dimensioni 4.97 x 3.98 x 1.47mm | ||
Lunghezza 4.97mm | ||
Larghezza 3.98mm | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 3,65 V | ||
Altezza 1.47mm | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Standard per uso automobilistico AEC-Q100 | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 2,7 V | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Numero di parole 512M | ||
Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 4 Kbit (F-RAM) organizzata logicamente come 512 x 8
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni
Scrive NODELAY™
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Interfaccia seriale veloce a 2 fili (I2C)
Fino a 1 MHz di frequenza
Sostituzione hardware diretta per EEPROM seriale (I2C)
Supporta tempi legacy per 100 kHz e 400 kHz
Basso consumo energetico
Corrente attiva a 100 kHz
Corrente di standby 3x10 A (tip.)
Funzionamento in tensione: VDD = da 2,7 V a 3,65 V.
Temperatura industriale: Da -40xC a +85xC
Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni
Scrive NODELAY™
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Interfaccia seriale veloce a 2 fili (I2C)
Fino a 1 MHz di frequenza
Sostituzione hardware diretta per EEPROM seriale (I2C)
Supporta tempi legacy per 100 kHz e 400 kHz
Basso consumo energetico
Corrente attiva a 100 kHz
Corrente di standby 3x10 A (tip.)
Funzionamento in tensione: VDD = da 2,7 V a 3,65 V.
Temperatura industriale: Da -40xC a +85xC
Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin
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