Memoria FRAM Cypress Semiconductor, I2C, 64kbit, SOIC, 8K x 8 bit, AEC-Q100
- Codice RS:
- 184-0044
- Codice costruttore:
- FM24CL64B-GTR
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
4815,00 €
(IVA esclusa)
5875,00 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,926 € | 4.815,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 184-0044
- Codice costruttore:
- FM24CL64B-GTR
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensioni memoria | 64kbit | |
| Organizzazione | 8K x 8 bit | |
| Interfacce | I2C | |
| Larghezza del bus dati | 8bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 550ns | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 8 | |
| Dimensioni | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | |
| Lunghezza | 4.97mm | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 3,6 V | |
| Larghezza | 3.98mm | |
| Altezza | 1.48mm | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 2,7 V | |
| Numero di parole | 8K | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Standard per uso automobilistico | AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensioni memoria 64kbit | ||
Organizzazione 8K x 8 bit | ||
Interfacce I2C | ||
Larghezza del bus dati 8bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 550ns | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 8 | ||
Dimensioni 4.97 x 3.98 x 1.48mm | ||
Lunghezza 4.97mm | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 3,6 V | ||
Larghezza 3.98mm | ||
Altezza 1.48mm | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 2,7 V | ||
Numero di parole 8K | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
Standard per uso automobilistico AEC-Q100 | ||
Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 16 Kbit (F-RAM) organizzata logicamente come 2K x 8
Lettura/scrittura di 100 trilioni (1014) ad alta resistenza
Conservazione dei dati per 151 anni (Vedere Conservazione dei dati e durata a pagina 12)
NoDelay™ scrive
processo ferroelettrico ad alta affidabilità advanced
Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
Frequenza fino a 20 MHz
Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM
Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
Sofisticato schema di protezione da scrittura
Protezione hardware tramite il pin Write Protect (WP)
Protezione software mediante istruzione Write Disable
Protezione blocco software per 1/4, 1/2, o intero array
Basso consumo energetico
200 A di corrente attiva a 1 MHz
Corrente di standby 3 A (tip.)
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,7 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da –40 C a +85 C
Involucri
Contenitore SOIC (Small Outline Integrated Circuit) a 8 pin
Contenitore sottile a 8 pin con doppio cavo piatto senza fili (DFN)
Lettura/scrittura di 100 trilioni (1014) ad alta resistenza
Conservazione dei dati per 151 anni (Vedere Conservazione dei dati e durata a pagina 12)
NoDelay™ scrive
processo ferroelettrico ad alta affidabilità advanced
Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
Frequenza fino a 20 MHz
Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM
Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
Sofisticato schema di protezione da scrittura
Protezione hardware tramite il pin Write Protect (WP)
Protezione software mediante istruzione Write Disable
Protezione blocco software per 1/4, 1/2, o intero array
Basso consumo energetico
200 A di corrente attiva a 1 MHz
Corrente di standby 3 A (tip.)
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,7 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da –40 C a +85 C
Involucri
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Contenitore sottile a 8 pin con doppio cavo piatto senza fili (DFN)
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