Microcontrollore Infineon, ARM Cortex-M7, TQFP, XMC7200, 176 Pin, Montaggio superficiale, programmi 1024kB, 32 bit SRAM,
- Codice RS:
- 260-1110
- Codice costruttore:
- XMC7200D-F176K8384AA
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 260-1110
- Codice costruttore:
- XMC7200D-F176K8384AA
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Microcontrollore | |
| Serie | XMC7200 | |
| Tipo di package | TQFP | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 176 | |
| Core del dispositivo | ARM Cortex-M7 | |
| Larghezza bus dati | 32bit | |
| Dimensione memoria programmabile | 1024kB | |
| Frequenza di clock massima | 350MHz | |
| Dimensioni RAM | 32kB | |
| Tensione massima di alimentazione | 5.5V | |
| Numero I/O programmabili | 220 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Larghezza | 24mm | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Lunghezza | 24mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Tensione minima di alimentazione | 2.7V | |
| Tipo memoria programmabile | SRAM | |
| ADC | 96 x 12 Bit | |
| Instruction Set Architecture | RISC | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Microcontrollore | ||
Serie XMC7200 | ||
Tipo di package TQFP | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 176 | ||
Core del dispositivo ARM Cortex-M7 | ||
Larghezza bus dati 32bit | ||
Dimensione memoria programmabile 1024kB | ||
Frequenza di clock massima 350MHz | ||
Dimensioni RAM 32kB | ||
Tensione massima di alimentazione 5.5V | ||
Numero I/O programmabili 220 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Larghezza 24mm | ||
Altezza 1.5mm | ||
Lunghezza 24mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Tensione minima di alimentazione 2.7V | ||
Tipo memoria programmabile SRAM | ||
ADC 96 x 12 Bit | ||
Instruction Set Architecture RISC | ||
Standard automobilistico No | ||
Microcontrollore Infineon, memoria di programma da 1024 KB, frequenza massima di 350 MHz - XMC7200D-F176K8384AA
Questo MOSFET ad alte prestazioni di Infineon è progettato per essere utilizzato in varie applicazioni di gestione dell'alimentazione. Caratterizzato da un contenitore TO-220, offre prestazioni robuste con una corrente di drain continua massima di 50A e una tensione massima drain-source di 30V. Con una bassa resistenza di accensione e un'elevata capacità di dissipazione di potenza, questo MOSFET garantisce un'efficienza ottimale nei sistemi elettrici più esigenti.
Caratteristiche e vantaggi
• La bassa resistenza drain-source (7,8 mΩ) riduce la perdita di potenza e migliora l'efficienza operativa
• La dissipazione di potenza massima di 68 W garantisce un funzionamento affidabile in condizioni di carico elevato
• L'ampio intervallo di tensione di soglia del gate (da 1V a 2,2V) offre un controllo flessibile per diversi livelli di tensione
• Elevata stabilità termica con una temperatura massima di esercizio di +175°C
• Progettazione in modalità Enhancement per una commutazione efficiente e un controllo preciso del flusso di corrente
• La robusta tolleranza di tensione gate-source (da -20V a +20V) assicura la protezione contro le sovratensioni
• Configurazione a singolo transistor ideale per progetti con limiti di spazio
Applicazioni
• Adatto per convertitori CC/CC e alimentatori
• Utilizzato nel raddrizzamento sincrono per migliorare l'efficienza del convertitore
• Ideale per il controllo dei motori nei sistemi di automazione industriale
• Impiegato nei sistemi di gestione delle batterie dei veicoli elettrici
• Applicabile ai sistemi di energia rinnovabile e all'elettronica di consumo
Qual è il vantaggio della bassa resistenza drain-source (RDS(on))?
Il basso valore di RDS(on) riduce al minimo le perdite per conduzione e la generazione di calore, migliorando l'efficienza complessiva dei sistemi di gestione dell'alimentazione e garantendo che una maggiore quantità di energia venga convertita in lavoro utile anziché essere dispersa come calore.
Come gestisce il MOSFET l'alta dissipazione di potenza?
Con una potenza massima di dissipazione di 68 W, il dispositivo è progettato per gestire un calore significativo durante il funzionamento, mantenendo la stabilità anche in condizioni difficili.
Qual è il significato dell'intervallo di tensione di soglia del gate?
L'ampio intervallo di tensione di soglia del gate (da 1V a 2,2V) offre flessibilità nella progettazione dei circuiti, consentendo al MOSFET di funzionare in modo efficiente con varie tensioni di controllo, rendendolo adatto a diverse applicazioni che richiedono una gestione precisa della tensione.
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