Microcontrollore Infineon, ARM Cortex M7, TQFP, XMC7200, 176 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 350MHz

Questo MOSFET ad alte prestazioni di Infineon è progettato per essere utilizzato in varie applicazioni di gestione dell'alimentazione. Caratterizzato da un contenitore TO-220, offre prestazioni robuste con una corrente di drain continua massima di 50A e una tensione massima drain-source di 30V. Con una bassa resistenza di accensione e un'elevata capacità di dissipazione di potenza, questo MOSFET garantisce un'efficienza ottimale nei sistemi elettrici più esigenti.

• La bassa resistenza drain-source (7,8 mΩ) riduce la perdita di potenza e migliora l'efficienza operativa
• La dissipazione di potenza massima di 68 W garantisce un funzionamento affidabile in condizioni di carico elevato
• L'ampio intervallo di tensione di soglia del gate (da 1V a 2,2V) offre un controllo flessibile per diversi livelli di tensione
• Elevata stabilità termica con una temperatura massima di esercizio di +175°C
• Progettazione in modalità Enhancement per una commutazione efficiente e un controllo preciso del flusso di corrente
• La robusta tolleranza di tensione gate-source (da -20V a +20V) assicura la protezione contro le sovratensioni
• Configurazione a singolo transistor ideale per progetti con limiti di spazio

• Adatto per convertitori CC/CC e alimentatori
• Utilizzato nel raddrizzamento sincrono per migliorare l'efficienza del convertitore
• Ideale per il controllo dei motori nei sistemi di automazione industriale
• Impiegato nei sistemi di gestione delle batterie dei veicoli elettrici
• Applicabile ai sistemi di energia rinnovabile e all'elettronica di consumo

Il basso valore di RDS(on) riduce al minimo le perdite per conduzione e la generazione di calore, migliorando l'efficienza complessiva dei sistemi di gestione dell'alimentazione e garantendo che una maggiore quantità di energia venga convertita in lavoro utile anziché essere dispersa come calore.

Con una potenza massima di dissipazione di 68 W, il dispositivo è progettato per gestire un calore significativo durante il funzionamento, mantenendo la stabilità anche in condizioni difficili.

L'ampio intervallo di tensione di soglia del gate (da 1V a 2,2V) offre flessibilità nella progettazione dei circuiti, consentendo al MOSFET di funzionare in modo efficiente con varie tensioni di controllo, rendendolo adatto a diverse applicazioni che richiedono una gestione precisa della tensione.