MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 1.5 Ω Miglioramento, 2.2 A, 8 Pin, PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV STL3NM60N
- Codice RS:
- 151-423P
- Codice costruttore:
- STL3NM60N
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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|---|---|
| 100 - 240 | 0,98 € |
| 250 - 490 | 0,907 € |
| 500 - 990 | 0,833 € |
| 1000 + | 0,805 € |
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- Codice RS:
- 151-423P
- Codice costruttore:
- STL3NM60N
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh II | |
| Tipo di package | PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 22W | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie MDmesh II | ||
Tipo di package PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 22W | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è sviluppato utilizzando la tecnologia MDmesh di seconda generazione. Questo rivoluzionario MOSFET di potenza associa una struttura verticale al layout della striscia aziendale per produrre una delle resistenze più basse al mondo. È quindi adatto per i convertitori ad alta efficienza più esigenti.
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Bassa capacità di ingresso e carica del gate