MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 1.5 Ω Miglioramento, 2.2 A, 8 Pin, PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV STL3NM60N
- Codice RS:
- 151-423P
- Codice costruttore:
- STL3NM60N
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- Codice RS:
- 151-423P
- Codice costruttore:
- STL3NM60N
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV | |
| Serie | MDmesh II | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 22W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV | ||
Serie MDmesh II | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 22W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è sviluppato utilizzando la tecnologia MDmesh di seconda generazione. Questo rivoluzionario MOSFET di potenza associa una struttura verticale al layout della striscia aziendale per produrre una delle resistenze più basse al mondo. È quindi adatto per i convertitori ad alta efficienza più esigenti.
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Bassa capacità di ingresso e carica del gate