MOSFET STMicroelectronics, canale N 200 V, 1.5 Ω Miglioramento, 1 A, 4 Pin, SOT-223, Montaggio superficiale STN4NF20L
- Codice RS:
- 151-425P
- Codice costruttore:
- STN4NF20L
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 151-425P
- Codice costruttore:
- STN4NF20L
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Serie | STN | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.3W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Serie STN | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.3W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
La serie Power MOSFET di STMicroelectronics è stata sviluppata utilizzando il processo STripFET, appositamente progettato per ridurre al minimo la capacità di ingresso e la carica del gate. Ciò rende il dispositivo adatto per l'uso come interruttore primario in convertitori c.c.-c.c. isolati ad alta efficienza avanzati.
Eccezionale capacità dv/dt
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Bassa carica del gate