MOSFET STMicroelectronics, canale N 400 V, 0.55 Ω Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-263, Superficie STB11NK40ZT4

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
151-428P
Codice costruttore:
STB11NK40ZT4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

400V

Serie

SuperMESH

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.55Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

10.4mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

4.6mm

Lunghezza

15.85mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è sviluppato utilizzando la tecnologia Super MESH, un'ottimizzazione del consolidato Power MESH. Oltre a una significativa riduzione della resistenza, questi dispositivi sono progettati per garantire un elevato livello di capacità dv/dt per le applicazioni più impegnative.

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Carica gate ridotta al minimo

Capacità intrinseca molto bassa

Protezione Zener

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