MOSFET STMicroelectronics, canale N 600 V, 0.29 Ω Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante STW20NM60

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Codice RS:
151-455
Codice costruttore:
STW20NM60
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-247

Serie

MDmesh

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.29Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.6V

Minima temperatura operativa

50°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

5.15mm

Larghezza

15.75mm

Lunghezza

34.95mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics associa il processo a drenaggio multiplo al layout orizzontale Power MESH dell'azienda. Il prodotto risultante ha un'eccezionale bassa resistenza di accensione, una dv/dt incredibilmente elevata e ottime caratteristiche di valanga. L'adozione della tecnica proprietaria dello strip consente di ottenere prestazioni dinamiche complessive nettamente superiori a quelle dei prodotti analoghi della concorrenza.

100% testato a valanga

Bassa capacità di ingresso e carica del gate

Bassa resistenza di ingresso del gate

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