MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 60 V, 90 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD12NF06LT4
- Codice RS:
- 151-907P
- Codice costruttore:
- STD12NF06LT4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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| 250 - 490 | 0,674 € |
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- Codice RS:
- 151-907P
- Codice costruttore:
- STD12NF06LT4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 12A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | STripFET II | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 90mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±16 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.1mm | |
| Altezza | 2.4mm | |
| Larghezza | 6.6 mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 12A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie STripFET II | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 90mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±16 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.1mm | ||
Altezza 2.4mm | ||
Larghezza 6.6 mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è stato progettato specificamente per ridurre al minimo la capacità di ingresso e la carica di gate. Questo rende il dispositivo adatto all'uso come interruttore primario in convertitori DC-DC isolati avanzati ad alta efficienza per applicazioni di telecomunicazione e computer e per applicazioni con requisiti di pilotaggio a bassa carica di gate.
Eccezionale capacità dv/dt
100% testato a valanga
Bassa carica di gate