MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo P 60 V, 0.028 Ω Miglioramento, 35 A, 3 Pin, TO-252, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 151-912P
- Codice costruttore:
- STD35P6LLF6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 151-912P
- Codice costruttore:
- STD35P6LLF6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 35A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | STripFET F6 | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.028Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 30nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 70W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 35A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie STripFET F6 | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.028Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 30nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 70W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza a canale P STMicroelectronics, sviluppato utilizzando la tecnologia STripFET F6, con una nuova struttura di gate a trincea. Il MOSFET di potenza risultante presenta un RDS(on) molto basso in tutti i contenitori.
Resistenza all'accensione molto bassa
Carica gate molto bassa
Elevata resistenza alle scariche disruptive a valanga
Bassa perdita di potenza dell'azionamento del gate