MOSFET STMicroelectronics, canale N 950 V, 1.25 Ω Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD6N95K5
- Codice RS:
- 151-926P
- Codice costruttore:
- STD6N95K5
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 151-926P
- Codice costruttore:
- STD6N95K5
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 950V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | MDmesh K5 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.25Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 9.6nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 2.4mm | |
| Larghezza | 6.6mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 10.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 950V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie MDmesh K5 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.25Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9.6nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 2.4mm | ||
Larghezza 6.6mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 10.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è progettato utilizzando la tecnologia MDmesh K5 basata su un'innovativa struttura verticale proprietaria. Il risultato è una drastica riduzione della resistenza e una carica di gate estremamente bassa per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'elevata efficienza.
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