MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 4.8 Ω Miglioramento, 2 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD2HNK60Z
- Codice RS:
- 151-935P
- Codice costruttore:
- STD2HNK60Z
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 200 - 480 | 0,301 € |
| 500 - 980 | 0,279 € |
| 1000 - 1980 | 0,258 € |
| 2000 + | 0,248 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 151-935P
- Codice costruttore:
- STD2HNK60Z
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.8Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 11nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.1mm | |
| Altezza | 2.4mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie SuperMESH | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.8Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.1mm | ||
Altezza 2.4mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia Super MESH, ottenuta attraverso l'ottimizzazione di un layout Power MESH basato su strisce ben consolidato. Oltre a una significativa riduzione della resistenza on, questo dispositivo è progettato per garantire un elevato livello di capacità dv/dt per le applicazioni più impegnative.
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Carica gate ridotta al minimo
Capacità intrinseca molto bassa
Protezione Zener