MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 0.36 Ω Miglioramento, 11 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD13NM60N
- Codice RS:
- 151-952P
- Codice costruttore:
- STD13NM60N
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 95 | 2,348 € |
| 100 - 495 | 2,172 € |
| 500 - 995 | 2,002 € |
| 1000 + | 1,932 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 151-952P
- Codice costruttore:
- STD13NM60N
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 11A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh II | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.36Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 27nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.1mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 2.4mm | |
| Larghezza | 6.6 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 11A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie MDmesh II | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.36Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 27nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.1mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 2.4mm | ||
Larghezza 6.6 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è sviluppato utilizzando la tecnologia MDmesh di seconda generazione. Questo rivoluzionario MOSFET di potenza associa una struttura verticale al layout della striscia dell'azienda per produrre uno dei valori più bassi al mondo sulla resistenza e sulla carica del gate. È quindi adatto per i convertitori ad alta efficienza più esigenti.
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Bassa capacità di ingresso e carica del gate
Bassa resistenza di ingresso gate