MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo P 650 V Depletion, 83 A, 9 Pin, ACEPACK SMIT, Superficie STGSH80HB65DAG
- Codice RS:
- 152-183P
- Codice costruttore:
- STGSH80HB65DAG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 152-183P
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- STGSH80HB65DAG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 83A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | ACEPACK SMIT | |
| Serie | HB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 9 | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 456nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Tensione diretta Vf | 1.9V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 4.05mm | |
| Lunghezza | 25.2mm | |
| Standard/Approvazioni | Automotive-grade | |
| Larghezza | 33.2mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 83A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package ACEPACK SMIT | ||
Serie HB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 9 | ||
Modalità canale Depletion | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 456nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Tensione diretta Vf 1.9V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 4.05mm | ||
Lunghezza 25.2mm | ||
Standard/Approvazioni Automotive-grade | ||
Larghezza 33.2mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il dispositivo STMicroelectronics combina due IGBT e diodi in una topologia a mezzo ponte montato su un contenitore molto compatto e robusto facilmente montabile sulla superficie. Il dispositivo fa parte della serie HB di IGBT, che è ottimizzata sia in termini di conduttività che di perdite di commutazione per la commutazione dolce. Un diodo a ruota libera con una bassa caduta di tensione in avanti è incluso in ogni interruttore.
AQG 324 qualificato
Serie di commutazione ad alta velocità
Corrente di coda ridotta al minimo
Distribuzione stretta dei parametri
Bassa resistenza termica grazie al substrato DBC