MOSFET IXYS, canale N, 34 mΩ, 74 A, TO-247, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 34 mΩ, 74 A, TO-247, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 193-436
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Documentazione Tecnica

MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS

Transistor MOSFET, IXYS

Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	74 A
Tensione massima drain source	200 V
Tipo di package	TO-247
Serie	HiperFET, Polar
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	34 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	480 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	16.26mm
Larghezza	5.3mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	107 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	21.46mm