MOSFET IXYS, canale Tipo N 100 V, 15 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 5 unità (fornito in tubo)*

39,95 €

(IVA esclusa)

48,75 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1035 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
5 - 197,99 €
20 - 497,50 €
50 - 995,56 €
100 +5,44 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
193-492P
Codice costruttore:
IXFH110N10P
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

480W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

21.46mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.3 mm

Lunghezza

16.26mm

Distrelec Product Id

30253306

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS


MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS