MOSFET IXYS, canale N, 65 mΩ, 66 A, SOT-227, Montaggio a vite

Codice RS:: 194-029P
Codice costruttore:: IXFN80N50P
Costruttore:: IXYS

MOSFET IXYS, canale N, 65 mΩ, 66 A, SOT-227, Montaggio a vite

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Prezzo per Pezzo (fornito in stecca)

27,30 €

(IVA esclusa)

33,31 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità
5 +	27,30 €

Codice RS:: 194-029P
Codice costruttore:: IXFN80N50P
Costruttore:: IXYS

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	66 A
Tensione massima drain source	500 V
Tipo di package	SOT-227
Serie	HiperFET, Polar
Tipo di montaggio	Montaggio a vite
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	65 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	700 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	38.2mm
Larghezza	25.07mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	195 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Altezza	9.6mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET IXYS, canale N, 65 mΩ, 66 A, SOT-227, Montaggio a vite

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS