MOSFET IXYS, canale N, 550 mΩ, 14 A, TO-247, Su foro

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Codice RS:
194-063
Codice costruttore:
IXFH14N60P
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

14 A

Tensione massima drain source

600 V

Serie

HiperFET, Polar

Tipo di package

TO-247

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

550 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5.5V

Dissipazione di potenza massima

300 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Larghezza

5.3mm

Lunghezza

16.26mm

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

38 nC a 10 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

21.46mm

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