MOSFET IXYS, canale Tipo N 500 V, 85 mΩ Miglioramento, 61 A, 4 Pin, SOT-227, Pannello IXFN64N50P

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

33,05 €

(IVA esclusa)

40,32 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 4 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Più 8 unità in spedizione dal 21 luglio 2026
  • Più 10 unità in spedizione dal 07 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 433,05 €
5 +28,51 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
194-568
Codice Distrelec:
302-53-377
Codice costruttore:
IXFN64N50P
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

61A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Tipo di package

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Tipo montaggio

Pannello

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

85mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

150nC

Tensione diretta Vf

1.5V

Dissipazione di potenza massima Pd

700W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

9.6mm

Lunghezza

38.23mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS


MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.