MOSFET IXYS, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 194-619P
Price: 4.05 EUR
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**prezzo indicativo

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	12 A
Tensione massima drain source	500 V
Tipo di package	TO-220
Serie	HiperFET, Polar
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	500 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5.5V
Dissipazione di potenza massima	200 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	29 nC a 10 V
Larghezza	4.83mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.66mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.15mm