MOSFET IXYS, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 194-619P
Price: 4.05 EUR
Availability: InStock

10 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Prezzo per Pezzo (fornito in Tubo)

3,318 €

(IVA esclusa)

4,048 €

(IVA inclusa)

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	12 A
Tensione massima drain source	500 V
Serie	HiperFET, Polar
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	500 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5.5V
Dissipazione di potenza massima	200 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	10.66mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4.83mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	29 nC a 10 V
Altezza	9.15mm
Minima temperatura operativa	-55 °C