MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 20 mΩ Miglioramento, 29 A, 4 Pin, Foro passante SCT015W120G3-4AG

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

1824,30 €

(IVA esclusa)

2225,70 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 02 settembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
30 +60,81 €1.824,30 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
215-222
Codice costruttore:
SCT015W120G3-4AG
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

SCT

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

167nC

Dissipazione di potenza massima Pd

673W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

4.2 V

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il dispositivo MOSFET di potenza al carburo di silicio della STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia SiC MOSFET di terza generazione della ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse

Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto

Link consigliati