MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.2 kV, 20 mΩ Miglioramento, 29 A, 4 Pin, Hip-247-4, Foro passante SCT015W120G3-4AG
- Codice RS:
- 215-222
- Codice costruttore:
- SCT015W120G3-4AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prezzo per 1 tubo da 30 unità*
1171,83 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 39,061 € | 1.171,83 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-222
- Codice costruttore:
- SCT015W120G3-4AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 29A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1.2kV | |
| Tipo di package | Hip-247-4 | |
| Serie | SCT | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 20mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 4.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 673W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 167nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 200°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 29A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1.2kV | ||
Tipo di package Hip-247-4 | ||
Serie SCT | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 20mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 4.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 673W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 167nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 200°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il dispositivo MOSFET di potenza al carburo di silicio della STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia SiC MOSFET di terza generazione della ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.
Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse
Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto
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